FDS9933_NL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS9933_NL
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内容描述：	[Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.055ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	5 页 / 110 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS9933

2006年9月

FDS9933

双P沟道2.5V指定的PowerTrench

MOSFET

概述

这种P沟道MOSFET是一个坚固的门版本

飞兆半导体的PowerTrench先进

流程。它已被优化的电源管理

具有广泛的栅极驱动电压的应用

(2.5V – 12V).

特点

•

-5 A ， -20 V，

DS （ ON）

= 55毫欧@ V

= –4.5 V

DS （ ON）

= 90毫欧@ V

= –2.5 V

•

扩展V

GSS

范围（ ± 12V ）的电池应用

•

低栅电荷

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

•

高功率和电流处理能力

应用

•

负荷开关

电机驱动

直流/直流转换

电源管理

SO-8

销1

SO-8

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

= 25°C除非另有说明

参数

评级

–20

±12

（注1A ）

单位

–5

–30

1.6

0.9

-55到+175

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

9933

仙童半导体国际

设备

FDS9933

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FDS9933 C版本

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