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    FDS9431A 参数 Datasheet PDF下载

    FDS9431A图片预览
    型号： FDS9431A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道2.5V指定MOSFET [P-Channel 2.5V Specified MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 5 页 / 359 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS9431A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS9431A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS9431A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS9431A的Datasheet PDF文件第5页  
    FDS9431A_F085
    P沟道
    2.5V
    特定网络版
    MOSFET
    电气特性
    符号
    BV
    DSS
    的dBV
    DSS
    DT
    J
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    零栅极电压漏极电流
    门体漏电流，
    前锋
    门体漏电流，
    反向
    （注2 ）
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = -250
    mA
    I
    D
    = -250
    毫安，引用
    至25℃
    V
    DS
    = -16 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 8 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = -8 V, V
    DS
    = 0 V
    民
    -20
    典型值
    最大单位
    V
    开关特性
    -28
    -1
    100
    -100
    毫伏/°C的
    mA
    nA
    nA
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    DV
    GS （ TH）
    DT
    J
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源
    导通电阻
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250
    mA
    I
    D
    = -250
    毫安，引用
    至25℃
    V
    GS
    = -4.5 V，I
    D
    = -3.5 A
    V
    GS
    = -2.5 V，I
    D
    = -3.0 A
    V
    GS
    = -4.5 V，I
    D
    = -3.5 A
    T
    J
    =125°C
    V
    GS
    = -4.5 V, V
    DS
    =-5 V
    V
    DS
    = -5 V，I
    D
    = -3.5 A
    -0.4
    -0.6
    2
    0.110
    0.140
    0.155
    -1
    V
    毫伏/°C的
    0.130
    0.180
    0.220
    W
    W
    W
    A
    I
    D（上）
    g
    FS
    通态漏电流
    正向跨导
    -10
    6.5
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    （注2 ）
    V
    DS
    = -10 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    405
    170
    45
    pF
    pF
    pF
    开关特性
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    V
    DD
    = -5 V，I
    D
    = -1 A,
    V
    GS
    = -4.5 V ，R
    根
    = 6
    W
    6.5
    20
    31
    21
    13
    35
    50
    35
    8.5
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = -5 V，I
    D
    = -3.5 A,
    V
    GS
    = -4.5 V
    6
    0.8
    1.3
    漏源二极管的特性和最大额定值
    I
    S
    V
    SD
    最大连续漏源二极管的正向电流
    漏源二极管正向
    电压
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = -2.1 A
    （注2 ）
    -2.1
    -0.7
    -1.2
    A
    V
    注意事项：
    1:
    R
    θJA
    是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
    漏针。 ř
    θJC
    由设计而ř
    = CA
    是通过用户的电路板的设计来确定。
    一） 50℃ / W的时
    装在一个1在
    2
    垫的2盎司铜。
    B） 105 ° C / W时，
    安装在一个0.04
    2
    垫的2盎司铜。
    C） 125°C /上最小W¯¯
    安装垫。
    在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
    2:
    脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300
    µs,
    占空比
    ≤
    2.0%
    FDS9431A_F085启示录
    A
    2
    www.fairchildsemi.com

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