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    FDS9435A 参数 Datasheet PDF下载

    FDS9435A图片预览
    型号： FDS9435A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单P沟道增强型场效应晶体管 [Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 66 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS9435A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS9435A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS9435A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS9435A的Datasheet PDF文件第5页  
    FDS9435A
    典型特征
    10
    -V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    I
    D
    = -5.3A
    8
    -15V
    电容（pF）
    6
    V
    DS
    = -5V
    -10V
    800
    700
    600
    C
    国际空间站
    500
    400
    300
    C
    OSS
    200
    100
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    4
    2
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    100
    P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
    100
    µ
    s
    R
    DS （ ON）
    极限
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    100ms
    1s
    1
    V
    GS
    = -10V
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 125
    o
    C / W
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    10s
    DC
    1ms
    10ms
    50
    图8.电容特性。
    40
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 125°C / W
    T
    A
    = 25°C
    30
    20
    0.1
    10
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    t
    1
    ，时间（秒）
    10
    100
    1000
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大
    功耗。
    R（T ） ，规范有效
    瞬态热阻
    1
    D = 0.5
    0.2
    R
    θ
    JA
    （吨） = R（T） + R
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    = 125℃ / W
    o
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    P（ PK）
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    JA
    (t)
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    0.01
    单脉冲
    0.001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    1000
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1c中所述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    FDS9435A版本D1 （ W）

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