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    FDS9412 参数 Datasheet PDF下载

    FDS9412图片预览
    型号： FDS9412
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单N沟道增强型场效应晶体管 [Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 232 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS9412的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS9412的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS9412的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS9412的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS9412的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS9412的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS9412的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS9412
    典型特征
    30
    V
    GS
    = 10V
    25
    20
    15
    10
    6.0V
    5.0V
    4.5V
    3.0V
    4.0V
    3.5V
    2.5
    V
    GS
    = 3.0V
    2
    3.5V
    1.5
    4.0V
    4.5V
    1
    5.0V
    6.0V
    10V
    2.5V
    0.5
    5
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    0.1
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    I
    D
    = 7.9A
    V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 7.9 A
    0.08
    0.06
    o
    0.04
    o
    T
    A
    = 125 C
    0.02
    T
    A
    = 25 C
    0
    125
    150
    2
    4
    6
    8
    10
    T
    J
    ，结温（ C）
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    30
    V
    DS
    = 5V
    25
    125 C
    20
    15
    10
    5
    0
    0.5
    1.5
    2.5
    3.5
    4.5
    o
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    100
    T
    A
    = -55 C
    o
    25 C
    o
    V
    GS
    = 0V
    10
    1
    0.1
    -55 C
    0.01
    0.001
    0.0001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    1.4
    o
    T
    A
    = 125 C
    25
    o
    o
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDS9412版本D（ W）

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