FDS8962C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS8962C
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	双N和P沟道功率沟槽 [Dual N & P-Channel Power Trench]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	8 页 / 185 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS8962C

2005年2月

FDS8962C

双N & P沟道PowerTrench

MOSFET

概述

这些双N和P沟道增强型

功率场效应晶体管都采用生产

飞兆半导体的PowerTrench先进

已特别针对减少流程

通态ressitance ，但保持出色的开关

性能。

这些装置非常适用于低电压和

电池供电应用的低线供电

损耗和快速开关是必需的。

•

特点

•

Q1:

N沟道

DS （ ON）

= 0.030Ω @ V

= 10V

DS （ ON）

= 0.044Ω @ V

= 4.5V

•

Q2:

P沟道

DS （ ON）

= 0.052Ω @ V

= -10V

DS （ ON）

= 0.080Ω @ V

= -4.5V

开关速度快

高功率和处理能力的广泛

常用的表面贴装封装

-5A ， -30V

7.0A ， 30V

SO-8

销1

SO-8

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

= 25 ° C除非另有说明

参数

（注1A ）

±20

-5

-20

1.6

0.9

-55到+150

单位

±20

- 脉冲

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

热阻，结到外壳

包装标志和订购信息

器件标识

设备

带尺寸

胶带宽度

QUANTITY

FDS8962C

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS8962C

13”

12mm

2500台

FDS8962C版本A （ W）

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案