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FDS8958A_07 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS8958A_07
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内容描述: 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 307 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8958A
典型特征: Q2 (P沟道)
10
-V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= -5A
8
-15V
6
V
DS
= -5V
-10V
电容(pF)
800
700
600
500
400
300
200
100
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
4
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
2
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
,栅极电荷( NC)
0
-V
DS
,漏源极电压( V)
图18.栅极电荷特性。
100
100
µ
s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θJA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
,漏源电压(V )
o
图19.电容特性。
10
10
1
1
0.01
0.1
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
图20.最大安全工作区。
图21.非钳位感应开关
能力图
50
单脉冲
R
θJ
A
= 125°
C / W
T
A
= 25°
C
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
40
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
图22.单脉冲最大功率耗散。
FDS8958A冯F1 ( W)
¡
0.1
Tj=125
1
100
¡
DC
I
AS
,雪崩电流( A)
-I
D
,漏电流( A)
R
DS ( ON)
极限
Tj=25
10
1000