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FDS8958A_07 参数 Datasheet PDF下载

FDS8958A_07图片预览
型号: FDS8958A_07
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内容描述: 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 307 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8958A
典型特征: Q2 (P沟道)
30
-5.0V
V
-4.5V
V
-4.0V
10
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= -10V
-I
D
,漏电流( A)
-6.0V
V
2
1.8
1.6
-4.5V
1.4
1.2
1
0.8
0
1
2
3
4
5
6
0
6
12
18
24
30
-V
DS
,漏源极电压( V)
-I
D
,漏电流( A)
-5.0V
-6.0V
-7.0V
-8.0V
-10V
V
GS
=-4.0V
20
-3.5V
-3.0V
0
图12.在区域特征。
图13.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.25
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
= -5A
V
GS
= -10V
I
D
= -2.5A
0.2
1.4
1.2
0.15
T
A
= 125
o
C
0.1
T
A
= 25
o
C
0.05
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温(
o
C)
0
2
4
6
8
10
-V
GS
,门源电压( V)
图14.导通电阻变化与
温度。
15
-I
S
,反向漏电流( A)
图15.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
DS
= -5V
-I
D
,漏电流( A)
12
T
A
= -55
o
C
125
o
C
25 C
o
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
V
GS
=0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
9
6
3
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-V
GS
,门源电压( V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图16.传输特性。
图17.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS8958A冯F1 ( W)