欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FDS8958A_07 参数 Datasheet PDF下载

FDS8958A_07图片预览
型号: FDS8958A_07
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 307 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第9页  
FDS8958A
典型特征: Q1 ( N沟道)
10
800
I
D
= 7A
V
DS
= 10V
20V
600
15V
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
V
GS
,栅源电压(V )
8
电容(pF)
6
C
国际空间站
400
4
C
OSS
200
2
C
RSS
0
0
2
4
6
8
Q
g
,栅极电荷( NC)
10
12
0
0
5
10
15
V
DS
,漏源极电压( V)
20
图7.栅极电荷特性。
100
10
图8.电容特性。
I
D
,漏电流( A)
10
100ms
1ms
10ms
1s
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θJA
= 135
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏源电压(V )
100
1
0.01
0.1
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
图9.最高安全工作区。
图10.松开电感式开关
能力图
50
单脉冲
R
θJ
A
= 135°
C / W
C
T
A
= 25°
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
40
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
图11.单脉冲最大功率耗散。
 
0.1
Tj=125
1
10
100
FDS8958A冯F1 ( W)
 
1
I
AS
,雪崩电流( A)
R
DS ( ON)
极限
100µs
Tj=25
100
1000