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FDS8958A_07 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS8958A_07
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内容描述: 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 307 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8958A
典型特征: Q1 ( N沟道)
20
16
I
D
,漏电流( A)
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10.0V
2.2
4.0V
3.5V
6.0V
12
1.8
4.5V
V
GS
= 3.5V
1.4
4.0
4.5V
5.0
6.0V
10.0V
8
3.0V
4
1
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源电压(V )
2
0.6
0
4
8
12
I
D
,漏电流( A)
16
20
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.08
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
1.4
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 7A
V
GS
= 10.0V
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
T
A
= 25
o
C
0.02
0.01
T
A
= 125
o
C
I
D
= 3.5A
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温(
o
C)
125
150
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化与
温度。
20
V
DS
= 5V
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
I
S
,反向漏电流( A)
16
10
1
0.1
0.01
0.001
T
A
= 125
o
C
I
D
,漏电流( A)
12
T
A
= 125
o
C
-55
o
C
25
o
C
25
o
C
-55
o
C
8
4
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
,门源电压( V)
4
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS8958A冯F1 ( W)