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    FDS8958A_07 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8958A_07图片预览
    型号： FDS8958A_07
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 307 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8958A_07的Datasheet PDF文件第9页  
    FDS8958A
    电气特性
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    ∆T
    J
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    V
    GS （ TH）
    ∆V
    GS （ TH）
    ∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    漏源击穿
    电压
    击穿电压
    温度COEF网络cient
    零栅压漏
    当前
    门体泄漏，正向
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V,
    I
    D
    = 250
    µA
    V
    GS
    = 0 V,
    I
    D
    = -250
    µA
    I
    D
    = 250
    µA,
    参考25 ℃下
    I
    D
    = -250 μA ，参考25℃
    V
    DS
    = 24 V,
    V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = -24 V,
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 20 V,
    V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = 0 V
    输入最小值典型值最大值单位
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    所有
    所有
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    1
    -1
    1.9
    -1.7
    -4.5
    4.5
    19
    27
    24
    42
    57
    65
    20
    -20
    25
    10
    575
    528
    145
    132
    65
    70
    2.1
    6.0
    30
    -30
    25
    -23
    1
    -1
    100
    -100
    3
    -3
    V
    毫伏/°C的
    µA
    nA
    nA
    V
    毫伏/°C的
    28
    42
    40
    52
    78
    80
    A
    S
    mΩ
    开关特性
    门体泄漏，反向V
    GS
    = -20 V,
    （注2 ）
    基本特征
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源
    导通电阻
    I
    D（上）
    g
    FS
    通态漏电流
    正向跨导
    V
    DS
    = V
    GS
    ,
    I
    D
    = 250
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    ,
    I
    D
    = -250 µA
    I
    D
    = 250
    µA,
    参考25 ℃下
    I
    D
    = -250 μA ，参考25℃
    V
    GS
    = 10 V,
    I
    D
    = 7 A
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 7 A，T
    J
    = 125°C
    I
    D
    = 6 A
    V
    GS
    = 4.5 V,
    V
    GS
    = -10 V,
    I
    D
    = -5 A
    V
    GS
    = -10 V，I
    D
    = -5 A，T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = -4.5 V,
    I
    D
    = -4 A
    V
    GS
    = 10 V,
    V
    DS
    = 5 V
    V
    GS
    = -10 V,
    V
    DS
    = -5 V
    V
    DS
    = 5 V,
    I
    D
    = 7 A
    I
    D
    =-5 A
    V
    DS
    = -5 V,
    Q1
    V
    DS
    = 15 V, V
    GS
    = 0 V ， F = 1.0 MHz的
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    R
    G
    输入电容
    输出电容
    pF
    pF
    pF
    Ω
    Q2
    反向传输电容V
    DS
    = -15 V, V
    GS
    = 0 V ， F = 1.0 MHz的
    V
    GS
    = 15 mV时，
    F = 1.0 MHz的
    栅极电阻
    FDS8958A冯F1 （ W）

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