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FDS8958A_07 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS8958A_07
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内容描述: 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 307 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8958A
二月
2007
FDS8958A
双N & P沟道PowerTrench
®
MOSFET
概述
这些双N和P沟道增强型
功率场效应晶体管都采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
已特别针对减少流程
通态ressitance ,但保持出色的开关
性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
tm
特点
Q1:
N沟道
R
DS ( ON)
= 0.028Ω @ V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
= 0.040Ω @ V
GS
= 4.5V
Q2:
P沟道
R
DS ( ON)
= 0.052Ω @ V
GS
= -10V
R
DS ( ON)
= 0.080Ω @ V
GS
= -4.5V
开关速度快
高功率和处理能力的广泛
常用的表面贴装封装
-5A , -30V
7.0A , 30V
D1
D
D1
D
D2
D
D
D2
5
6
G2
S2
G
Q2
4
3
SO-8
销1
SO-8
7
8
Q1
2
1
G1
S1
S
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q1
30
(注1A )
Q2
30
±20
-5
-20
2
1.6
0.9
13
-55到+150
单位
V
V
A
W
mJ
°C
±20
7
20
2
1.6
0.9
54
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
单脉冲雪崩能量
(注1A )
(注1C )
E
AS
T
J
, T
英镑
(注3)
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
设备
带尺寸
胶带宽度
QUANTITY
FDS8958A
©2007
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS8958A
13”
12mm
2500台
FDS8958A冯F1 ( W)