FDS8433A
典型特征
5
-V
GS
，栅源电压（V ）
（续）
3000
I
D
=-5.0A
V
DS
= -5V
-15V
电容（pF）
2000
4
-10V
西塞
1000
500
3
科斯
2
200
1
C
RSS
100
50
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
-V
DS
，漏源极电压（ V）
10
20
0
0
4
8
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
16
20
图7.栅极电荷特性。
100
T
IMI
图8.电容特性。
50
L
N)
S（O
RD
-I
D
，漏电流（ A）
10
1
0.1
V
GS
= -4.5V
单脉冲
R
θJA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
0.2
1m
s
10m
s
10
0m
s
1s
10s
DC
100
us
40
功率（W）的
单脉冲
R
θJA
=125°C/W
T
A
= 25°C
30
20
10
0.01
0.1
0.5
1
2
5
10
-V
DS
，漏源电压（V ）
20
50
0
0.001
0.01
0.1
1
10
单脉冲时间（秒）
100
300
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
R（T ） ， N 2 O R M A L IZ ê D E F F权证TIV ê
TR A N SIEN第t ER MA L R （E S）为Ta ñ CE
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
D = 0.5
0 .2
0.1
0 .05
0 .02
0 .01
■在GLE浦LSE
P （P K）
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
=
125
° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA （T ）
ð UTY Ç Ÿ CLE ，D = T
1
/t
2
0.001
0.01
0.1
t
1
， TIM E（秒）
1
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注意事项1所述的条件。
瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。
FDS8433A牧师B1
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
