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    FDS6990AS_NL 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6990AS_NL图片预览
    型号： FDS6990AS_NL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双30V N沟道的PowerTrench SyncFET [Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 542 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6990AS_NL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6990AS_NL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS6990AS_NL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6990AS_NL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6990AS_NL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS6990AS_NL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS6990AS_NL的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
    ®
    SyncFET ™
    电气特性
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    开关特性
    BV
    DSS
    ∆
    BV
    DSS
    ∆
    T
    J
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    ∆
    V
    GS （ TH）
    ∆
    T
    J
    R
    DS （ ON）
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    COEF网络cient
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    I
    D
    = 1毫安，被引用到25
    °
    C
    V
    DS
    = 24 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    =
    ±
    20 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 1毫安
    I
    D
    = 1毫安，被引用到25
    °
    C
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 7.5 A
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 7.5 A，T
    J
    = 125
    °
    C
    V
    GS
    = 4.5 V，I
    D
    = 6.5 A
    V
    GS
    = 10 V, V
    DS
    = 5 V
    V
    DS
    = 15 V，I
    D
    = 10 A
    V
    DS
    = 15 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    20
    29
    1
    1.7
    –3
    17
    26
    21
    22
    35
    28
    30
    31
    500
    ±
    100
    3
    V
    毫伏/
    °
    C
    µ
    A
    nA
    参数
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    基本特征
    （注2 ）
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源
    导通电阻
    通态漏电流
    正向跨导
    V
    毫伏/
    °
    C
    m
    Ω
    I
    D（上）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    R
    G
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    G（ TOT ）
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    I
    S
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    A
    S
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    栅极电阻
    V
    GS
    = 15 mV时， F = 1.0 MHz的
    V
    DS
    = 15 V，I
    D
    = 1 A,
    V
    GS
    = 10 V ，R
    根
    = 6
    Ω
    550
    330
    60
    3.1
    pF
    pF
    pF
    Ω
    16
    10
    38
    88
    18
    16
    24
    10
    14
    8
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nC
    开关特性
    （注2 ）
    导通延迟时间
    开启上升时间
    关断延迟时间
    关断下降时间
    导通延迟时间
    开启上升时间
    关断延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷在VGS = 10V
    总栅极电荷在VGS = 5V
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    V
    DD
    = 15 V，I
    D
    = 10 A，V
    GS
    = 5 V
    V
    DS
    = 15 V，I
    D
    = 1 A,
    V
    GS
    = 4.5 V ，R
    根
    = 6
    Ω
    8
    5
    24
    4
    9
    8
    14
    5
    10
    6
    1.5
    2.0
    漏源二极管的特性和最大额定值
    最大连续漏源二极管的正向电流
    漏源二极管正向
    电压
    二极管的反向恢复时间
    二极管的反向恢复电荷
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = 2.3 A
    I
    F
    = 10A,
    d
    iF
    /d
    t
    = 300 A / μs的
    （注3）
    （注2 ）
    0.6
    18
    11
    2.9
    0.7
    A
    V
    nS
    nC
    2
    FDS6990AS版本A
    www.fairchildsemi.com

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