FDS6982AS
2008年5月
FDS6982AS
概述
TMM
双笔记本电源n沟道PowerTrench
®
SyncFET
™
特点
•
Q2:
优化，以最大限度地减少传导损耗
包括SyncFET肖特基体二极管
R
DS （ ON）
最大值= 13.5mΩ @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
最大值= 16.5mΩ @ V
GS
= 4.5V
•
•
低栅极电荷（ 21nC典型值）
Q1:
优化的低开关损耗
R
DS （ ON）
最大值= 28.0mΩ @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
MAX`
35.0mΩ
@ V
GS
= 4.5V
•
低栅极电荷（ 11nC典型值）
该FDS6982AS被设计来取代两个单SO-
8 MOSFET和同步肖特基二极管
DC：直流电源，可提供各种外设
电压为笔记本电脑和其它电池
供电的电子设备。 FDS6982AS包含两个
独特30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench
MOSFET的设计，最大限度地提高电源转换
效率。高侧开关（Q1）被设计用
特别强调降低开关损耗，同时
低侧开关（Q2 ）被优化，以减少
传导损耗。 Q2还包括一个集成
利用飞兆半导体的整体SyncFET肖特基二极管
技术。
8.6A ， 30V
6.3A ， 30V
应用
•
笔记本
D1
D1
D2
D2
S1
G1
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
S2
8
1
G2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q2
30
（注1A ）
Q1
30
±20
6.3
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
±20
8.6
30
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6982AS
设备
FDS6982AS
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6982AS版本
B1
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
