FDS6961A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6961A
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内容描述：	双N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	8 页 / 242 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1999年4月

FDS6961A

双N沟道逻辑电平的PowerTrench

MOSFET

概述

特点

3.5 A， 30 V ř

DS （ ON）

= 0.090

Ω

@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 0.140

Ω

@ V

= 4.5 V.

快速开关速度。

低栅极电荷（ 2.1nC典型值）。

高性能沟道技术极低

DS （ ON）

高功率和电流处理能力。

这些N沟道逻辑电平MOSFET是

利用飞兆半导体的制作

这一直是先进的PowerTrench工艺

特别是针对减少导通状态

性，但保持出色的开关

性能。

这些装置非常适用于低电压

和电池供电应用的低

在线功率损耗和快速开关

是

所需。

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

FD 1A

SO-8

针

绝对最大额定值

符号

参数

= 25

C除非其他明智的注意

评级

单位

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

功率消耗单操作

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

（注1A ）

±20

3.5

1.6

0.9

-55到150

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

FDS6961A Rev.C

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