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    FDS6912 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6912图片预览
    型号： FDS6912
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET [Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 76 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6912的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6912的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6912的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS6912的Datasheet PDF文件第5页  
    FDS6912
    典型特性（续）
    10
    I
    D
    = 6.3A
    8
    15V
    6
    V
    DS
    = 5V
    10V
    2000
    电容（pF）
    1000
    500
    ç国际空间站
    4
    ç OSS
    200
    80
    2
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0V
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    ç RSS
    30
    0
    0
    4
    8
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    12
    16
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    100
    IT
    LIM
    N)
    S（O
    RD
    图8.电容特性。
    30
    20
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    1m
    s
    10m
    s
    100
    us
    25
    20
    功率（W）的
    单脉冲
    R
    θJA
    = 135 ° C / W
    T
    A
    = 25°
    2
    0.5
    100
    1s
    V
    GS
    = 10V
    单脉冲
    R
    θJA
    = 135 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    0.2
    0.5
    V
    ms
    15
    10
    s
    DC
    10
    0.05
    5
    0.01
    0.1
    DS
    1
    2
    5
    10
    ，漏源电压（V ）
    20
    0
    0.01
    0.1
    1
    10
    单脉冲时间（秒）
    100
    1000
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大
    功耗。
    1
    R（T ） ，规范有效
    瞬态热阻
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.005
    0.002
    0.001
    0.0001
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    P（ PK）
    R
    θJA
    （吨） = R （t）的R *
    θJA
    R
    θJA
    = 135 ° C / W
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    JA （T ）
    占空比D = T
    1
    /t
    2
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    300
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1c中所述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    FDS6912版本E（ W）

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