FDS6912A_NL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6912A_NL
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内容描述：	[Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	8 页 / 220 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS6912

2000年1月

FDS6912

双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench



MOSFET

概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET的过

专门设计用于改善的总效率

利用DC / DC转换同步或

传统开关PWM控制器。

这些MOSFET的开关速度和更低的

比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷

RDS（ON）的规格。

其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶

（即使是在非常高的频率），并且DC / DC电力

电源设计具有更高的整体效率。

特点

DS （ ON）

= 0.028

Ω

@ V

= 10 V

•

6 A， 30 V

DS （ ON）

= 0.042

Ω

@ V

= 4.5 V.

•

在开关型DC / DC转换器的优化使用

与PWM控制器

•

非常快速的切换。

•

低栅电荷

SO-8

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

= 25°C除非另有说明

参数

评级

±20

（注1A ）

单位

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.6

0.9

-55到+150

°C

, T

英镑

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS6912

2000

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

设备

FDS6912

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FDS6912版本E（ W）

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