FDS6912A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6912A
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	双N沟道逻辑电平， PowerTrenchTM MOSFET [Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	4 页 / 225 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1998年6月

FDS6912A

双N沟道逻辑电平，的PowerTrench

MOSFET

概述

特点

6 A， 30 V ř

DS （ ON）

= 0.028

Ω

@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 0.035

Ω

@ V

= 4.5 V.

快速开关速度。

低栅极电荷（典型值9 NC ）。

高性能沟道技术极低

DS （ ON）

高功率和电流处理能力。

这些N沟道逻辑电平MOSFET是

利用飞兆半导体的制作

这一直是先进的PowerTrench工艺

特别是针对减少导通状态

性，但保持出色的开关

性能。

这些装置非常适用于低电压和

电池供电的应用中，低线

功率损耗和快速开关是必需的。

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT -8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

FD 2A

SO-8

针

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

= 25

C除非其他明智的注意

FDS6912A

±20

（注1A ）

单位

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.6

0.9

-55到150

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

FDS6912A Rev.C

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案