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FDS6912A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS6912A
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内容描述: 双N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET [Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 5 页 / 121 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS6912A
2003年7月
FDS6912A
双N沟道逻辑电平的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET产生
运用
飞兆半导体
安森美半导体
先进
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻,但保持
出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
6 A, 30 V
R
DS ( ON)
= 28毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 35毫欧@ V
GS
= 4.5 V
开关速度快
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
D2
D
D2
D
D
D1
D1
D
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
G2
S
S2
S
S
G1
S1
G
8
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±
20
(注1A )
单位
V
V
A
W
6
20
1.6
1.0
0.9
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6912A
设备
FDS6912A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6912A版本D( W)