FDS6986S
2002年9月
FDS6986S
双笔记本电源n沟道PowerTrench
SyncFET
™
概述
该FDS6986S被设计来取代两个单SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC
电源，可提供各种外围电压
用于笔记本电脑和其它电池供电
电子设备。 FDS6986S包含了两个独特的
30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench MOSFET的
旨在最大限度地提高功率转换效率。
高侧开关（Q1）被设计具有特定
强调减少开关损耗，而低
侧开关（Q2 ）被优化，以减少传导
损失。 Q2还包括一个集成的肖特基二极管
利用飞兆半导体的整体SyncFET技术。
特点
•
Q2:
优化，以最大限度地减少传导损耗
包括SyncFET肖特基体二极管
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5V
•
Q1:
优化的低开关损耗
低栅极电荷（ 6.5 NC典型值）
R
DS （ ON）
= 29毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 38毫欧@ V
GS
= 4.5V
7.9A ， 30V
6.5A ， 30V
D
1
/S
D2
1
/S
D2
D1
D
D
5
6
7
Q2
4
3
D
D1
Q1
2
1
SO-8
G
S1
销1
SO-8
S
S
S
G
S2
1
2
/D
G
8
2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q2
30
（注1A ）
Q1
30
±16
6.5
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
漏电流
±20
7.9
30
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6986S
2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS6986S
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS6986S冯C1 （ W）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
