FDS6688S
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
∆V
GS （ TH）
∆T
J
R
DS （ ON）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1毫安
最小值典型值
30
28
最大
单位
V
毫伏/°C的
开关特性
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
= ±20 V,
V
DS
= V
GS
,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 1毫安
1
1.4
–4
4.8
5.7
6.5
74
6.0
7.5
500
±100
µA
nA
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
3
V
毫伏/°C的
mΩ
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V,
I
D
= 16 A
I
D
= 14.5 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 16 A，T
J
=125°C
V
DS
= 10 V,
I
D
= 16 A
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时，
V
GS
= 0 V,
3290
890
290
pF
pF
pF
Ω
22
22
46
96
78
44
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
700
mV
ns
A
nC
F = 1.0 MHz的
1.5
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
Ω
12
12
30
60
总栅极电荷在V
GS
=10V
总栅极电荷在V
GS
=5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
V
DS
= 15 V,
I
D
= 16 A
56
31
8.2
9.0
漏源二极管的特性和最大额定值
V
GS
= 0 V,
I
S
= 3.5 A
（注2 ）
380
30
I
F
= 16 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
（注3）
2
31
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A） 50 ° / W时，
装在一个1在
2
2盎司纯铜垫
B） 105 ° / W时，
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
三） 125° / W安装在一个时
最小焊盘。
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管
特色“的
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS6688S版本C （ W）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
