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    FDS6680AS_NL 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6680AS_NL图片预览
    型号： FDS6680AS_NL
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    内容描述： 30V N沟道的PowerTrench SyncFET [30V N-Channel PowerTrench SyncFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 552 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6680AS_NL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6680AS_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6680AS_NL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS6680AS_NL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6680AS_NL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6680AS_NL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS6680AS_NL的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS6680AS
    典型特征
    （续）
    SyncFET肖特基体二极管
    特征
    飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入一个肖特基二极管
    用的PowerTrench MOSFET并联。该二极管的展品
    相似的特性的离散外部肖特基
    二极管与MOSFET并联。图12示出了
    该FDS6680AS的反向恢复特性。
    肖特基势垒二极管具有显著泄漏高
    温度和高的反向电压。这将增加
    在该装置的功率。
    0.1
    I
    DSS
    ，反向漏电流（ A）
    0.01
    T
    A
    = 125
    o
    C
    0.001
    T
    A
    = 100
    o
    C
    0.0001
    3A/DIV
    0.00001
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.000001
    0
    5
    10
    15
    20
    V
    DS
    ，反向电压（V）的
    25
    30
    10nS/DIV
    图14. SyncFET体二极管的反向
    漏与漏 - 源电压和
    温度。
    图12. FDS6680AS SyncFET体二极管
    的反向恢复特性。
    为了便于比较，图13显示了相反的
    的体二极管的恢复特性
    无SyncFET生产规模相当于MOSFET
    (FDS6680).
    电流： 3A / DIV
    0
    10nS/div
    图13.非SyncFET （ FDS6680 ）体
    二极管的反向恢复特性。
    FDS6680AS版本B （ X）

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