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型号: FDS6680
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内容描述: 单N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrenchTM MOSFET [Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 240 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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1998年4月
FDS6680
单N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET的设计
具体而言,以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。
MOSFET的功能切换速度和更低的栅极
收费比其他的MOSFET具有可比性ř
DS ( ON)
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET,很容易和更安全的驾驶(甚至
在非常高的频率) ,和DC / DC电源设计
具有较高的整体效率。
特点
11.5 A, 30 V ř
DS ( ON)
= 0.010
@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 0.015
@ V
GS
= 4.5 V.
在开关型DC / DC转换器的优化使用
PWM控制器。
非常快速的切换。
低栅极电荷(典型的Qg = 19 NC ) 。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
5
6
7
8
4
3
2
1
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDS6680
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
(注1A )
30
±20
11.5
50
2.5
1.2
1
-55到150
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
FDS6680 Rev.E1
©1998仙童半导体公司