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型号: FDS6680S
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内容描述: 30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ [30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 223 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS6680S
2000年2月
初步
FDS6680S
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6680S被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管: DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率,提供了一个低
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。该FDS6680S包括
使用集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDS6680S作为一个同步的低压侧开关
整流距离的性能没有区别
FDS6680与肖特基二极管并联。
特点
11.5 A, 30 V.
R
DS ( ON)
= 0.011
@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 0.016
@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷( 17nC典型值)
高性能沟道技术极低
R
DS ( ON)
和快速开关
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
W
11.5
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6680S
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS6680S
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS6680S版本B ( W)