FDS6680A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6680A
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内容描述：	单N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET [Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	5 页 / 103 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS6680A

2004年11月

FDS6680A

单N沟道逻辑电平的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道逻辑电平MOSFET产生

利用飞兆半导体先进的Power

已特别针对海沟过程

最大限度地减少通态电阻，但保持

出色的开关性能。

这些装置非常适用于低电压和

电池供电应用的低线供电

损耗和快速开关是必需的。

特点

•

12.5 A， 30 V

DS （ ON）

= 9.5毫欧@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 13毫欧@ V

= 4.5 V

•

超低栅极电荷

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

•

高功率和电流处理能力

SO-8

销1

SO-8

= 25°C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

参数

评级

±20

（注1A ）

单位

12.5

2.5

1.2

1.0

-55到+150

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS6680A

设备

FDS6680A

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS6680A冯F1 （ W）

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