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FDS6670AS 参数 Datasheet PDF下载

FDS6670AS图片预览
型号: FDS6670AS
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内容描述: 30V N沟道的PowerTrench SyncFET [30V N-Channel PowerTrench SyncFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 7 页 / 114 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS6670AS
典型特征
50
V
GS
= 10V
40
6.0V
30
4.5V
3.0V
3.5V
4.0V
I
D
,漏电流( A)
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
2.6
2.2
V
GS
= 3.0V
1.8
3.5V
1.4
20
4.0V
4.5V
6.0V
10V
10
2.5V
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源电压(V )
2
1
0.6
0
10
20
30
40
50
I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.025
1.4
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 13.5A
V
GS
= 10V
1.2
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 6.75A
0.02
1
0.015
T
A
= 125 C
o
0.8
0.01
T
A
= 25 C
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
T
J
,结温( C)
100
125
0.005
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5V
40
I
D
,漏电流( A)
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125
o
C
25 C
o
30
0.1
-55 C
0.01
o
20
T
A
= 125
o
C
-55 C
o
10
25
o
C
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
,门源电压( V)
3.5
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
SD
,体二极管正向电压( V)
0.6
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6670AS版本A ( X)