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型号: FDS6670AS
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内容描述: 30V N沟道的PowerTrench SyncFET ™ [30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 7 页 / 743 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS6670AS
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET ™
典型特征
(续)
10
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
=13.5A
V
DS
= 10V
20V
2400
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
15V
电容(pF)
1800
C
国际空间站
6
1200
4
C
OSS
600
2
C
RSS
0
0
5
10
15
20
Q
g
,栅极电荷( NC)
25
30
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏源极电压( V)
30
图7.栅极电荷特性。
100
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
R
DS ( ON)
极限
100
µ
s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
图8.电容特性。
50
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
I
D
,漏电流( A)
40
10
30
1
DC
20
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
o
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏源电压(V )
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6670AS修订版A2 ( X)