FDS6630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6630
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内容描述：	N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 199 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS6630A

1999年4月

FDS6630A

N沟道逻辑电平的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道逻辑电平MOSFET采用生产

飞兆半导体的PowerTrench先进工艺

已特别针对减少通态

性，但保持出色的开关

性能。

这些装置非常适用于低电压和电池

供电应用的低线的功率损耗和

快速切换是必需的。

特点

•

6.5 A， 30 V ř

DS （ ON）

= 0.038

Ω

@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 0.053

Ω

@ V

= 4.5 V

•

低栅极电荷（ 5nC典型值）。

快速开关速度。

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力。

应用

•

DC / DC转换器

负荷开关

电机驱动

SO-8

针

= 25 ° C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

参数

评级

（注1A ）

单位

6.5

2.5

1.2

-55到+150

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

, T

英镑

工作和存储结温范围

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

C / W

包装纲要和订货信息

器件标识

FDS6630A

设备

FDS6630A

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS6630A牧师C1

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