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FDS6375T/R 参数 Datasheet PDF下载

FDS6375T/R图片预览
型号: FDS6375T/R
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内容描述: [Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 69 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS6375
典型特征
50
V
GS
= -4.5V -3.0V
40
-I
D
,漏电流( A)
-2.0V
30
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
-2.5V
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
DS
,漏源极电压( V)
3
3.5
0
10
20
30
-I
D
,漏电流( A)
40
50
V
GS
= - 2.0V
20
-1.5V
10
-2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.5V
0
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.055
1.6
R
DS ( ON)
,
漏源导通电阻
I
D
= -8A
V
GS
= - 4.5V
1.4
I
D
= -4A
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
0.045
1.2
0.035
T
A
= 125
o
C
0.025
T
A
= 25
o
C
0.015
1
0.8
0.6
-50
0.005
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温(
o
C)
150
175
1
2
3
4
-V
GS
,门源电压( V)
5
图3.导通电阻变化与
温度。
50
-I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= -5V
40
-I
D
,漏电流( A)
125
o
C
30
T
A
= -55
o
C
25
o
C
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125
o
C
0.1
25
o
C
0.01
-55
o
C
0.001
20
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
,门源电压( V)
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6375版本E( W)