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FDS4953 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS4953
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内容描述: 双路30V P沟道PowerTrench MOSFET [Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 97 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS4953
2002年5月
FDS4953
双路30V P沟道PowerTrench
®
MOSFET
概述
这个P
声道MOSFET是一个坚固的门版本
飞兆半导体的PowerTrench先进
流程。它已被优化的电源管理
需要大范围给驱动器的应用
额定电压( 4.5V - 25V ) 。
特点
-5 A , -30 V
R
DS ( ON)
= 55毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS ( ON)
= 95毫欧@ V
GS
= –4.5 V
低栅极电荷( 6nC典型值)
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
应用
电源管理
负荷开关
电池保护
D2
D
D1
D
D2
D
D
D1
5
6
7
G1
S1
G
G2
S
S2
S
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
8
1
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
–5
–20
2
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
1.6
1
0.9
-55到+175
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJ
C
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4953
©2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS4953
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS4953版本D1 ( W)