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    FDS4559_08 参数 Datasheet PDF下载

    FDS4559_08图片预览
    型号： FDS4559_08
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 60V互补PowerTrenchï ???? MOSFET [60V Complementary PowerTrenchMOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 385 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS4559_08的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS4559_08的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS4559_08的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS4559_08的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS4559_08的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS4559_08的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS4559_08的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS4559_F085 60V互补的PowerTrench
    ®
    MOSFET
    电气特性
    符号
    W
    DSS
    I
    AR
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    单脉冲漏源
    雪崩能量
    最大漏源
    雪崩电流
    漏源击穿
    电压
    击穿电压
    温度COEF网络cient
    零栅压漏
    当前
    门体漏
    （注2 ）
    测试条件
    V
    DD
    = 30 V,
    I
    D
    = 4.5 A
    键入敏
    Q1
    Q1
    典型值最大值单位
    90
    4.5
    mJ
    A
    漏源雪崩额定值
    （注1 ）
    开关特性
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    ∆T
    J
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250 µA
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = –250 µA
    I
    D
    = 250μA ，引用至25℃
    I
    D
    = -250 μA ，参考25℃
    V
    DS
    = 48 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = –48 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = +20 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = +20 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250 µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = –250 µA
    I
    D
    = 250μA ，引用至25℃
    I
    D
    = -250 μA ，参考25℃
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 4.5 A
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 4.5 A，T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = 4.5 V，I
    D
    = 4 A
    V
    GS
    = -10 V，I
    D
    = –3.5 A
    V
    GS
    = -10 V，I
    D
    = -3.5 A，T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = -4.5 V，I
    D
    = –3.1 A
    V
    GS
    = 10 V, V
    DS
    = 5 V
    V
    GS
    = –10 V, V
    DS
    = –5 V
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 4.5 A
    V
    DS
    = -5 V，I
    D
    = –3 5 A
    Q1
    V
    DS
    = 25 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    Q2
    V
    DS
    = –30 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    （注2 ）
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    60
    –60
    58
    –49
    1
    –1
    +100
    +100
    1
    –1
    2.2
    –1.6
    –5.5
    4
    42
    72
    55
    82
    130
    105
    3
    –3
    V
    毫伏/°C的
    µA
    nA
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    ∆V
    GS （ TH）
    ∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源
    导通电阻
    V
    毫伏/°C的
    Q2
    55
    94
    75
    105
    190
    135
    mΩ
    I
    D（上）
    g
    FS
    通态漏电流
    正向跨导
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    20
    –20
    14
    9
    650
    759
    80
    90
    35
    39
    A
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    输入电容
    输出电容
    反向传输
    电容
    pF
    pF
    pF
    开关特性
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    Q1
    V
    DD
    = 30 V，I
    D
    = 1 A,
    V
    GS
    = 10V ，R
    根
    = 6
    Ω
    Q2
    V
    DD
    = -30 V，I
    D
    = –1 A,
    V
    GS
    = -10 V ，R
    根
    = 6
    Ω
    Q1
    V
    DS
    = 30 V，I
    D
    = 4.5 A，V
    GS
    = 10 V
    Q2
    V
    DS
    = -30 V，I
    D
    = -3.5 A，V
    GS
    = –10V
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    11
    7
    8
    10
    19
    19
    6
    12
    12.5
    15
    2.4
    2.5
    2.6
    3.0
    20
    14
    18
    20
    35
    34
    15
    22
    18
    21
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    FDS4559_F085版本A （ W）

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