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型号：	FDS4465
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内容描述：	P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET [P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小：	5 页 / 137 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS4465

2003年3月

FDS4465

P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench



MOSFET

概述

这种P沟道1.8V指定MOSFET是一种坚固

的门版本飞兆半导体先进

的PowerTrench工艺。它已被优化电源

管理应用程序与各种门的

驱动电压（ 1.8V - 8V ）。

特点

•

-13.5 A， -20 V. ř

DS （ ON）

= 8.5毫欧@ V

= –4.5 V

DS （ ON）

= 10.5毫欧@ V

= –2.5 V

DS （ ON）

• 14毫欧@ V

= –1.8 V

•

开关速度快

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

•

高的电流和功率处理能力

应用

•

电源管理

•

负荷开关

•

电池保护

SO-8

销1

SO-8

=25

C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

参数

评级

–20

±8

（注1A ）

单位

–13.5

–50

2.5

1.5

1.2

-55到+175

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1C ）

（注1 ）

125

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS4465

设备

FDS4465

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

2003

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS4465冯C1 （ W）

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