FDS4435BZ P沟道PowerTrench
®
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±25V, V
DS
= 0V
-30
-21
1
±10
V
毫伏/°C的
µA
µA
基本特征
V
GS （ TH）
∆V
GS （ TH）
∆T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250µA
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
= -10V ，我
D
= -8.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -6.7A
V
GS
= -10V ，我
D
= -8.8A ，T
J
= 125°C
V
DS
= -5V ，我
D
= -8.8A
-1
-2.1
6
16
26
22
24
20
35
28
S
mΩ
-3
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1385
275
230
4.5
1845
365
345
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至-10V
V
GS
= 0V至-5V
V
DD
= -15V,
I
D
= -8.8A
V
DD
= -15V ，我
D
= -8.8A,
V
GS
= -10V ，R
根
= 6Ω
10
6
30
12
28
16
5.2
7.4
20
12
48
22
40
23
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= -8.8A
（注2 ）
-0.9
29
23
-1.2
44
35
V
ns
nC
I
F
= -8.8A ，的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
1. R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。装在当50℃ / W的
在A 1
2
垫2盎司纯铜。
B 。安装在125 ° C / W
2盎司纯铜最小焊盘。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
3.连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
4.起始物为
J
= 25℃时，L = 1MH ，我
AS
= -7A ，V
DD
= -30V, V
GS
= -10V
©2007仙童半导体公司
FDS4435BZ Rev.C
2
www.fairchildsemi.com
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
