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    FDS4410 参数 Datasheet PDF下载

    FDS4410图片预览
    型号： FDS4410
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrenchTM MOSFET [Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 243 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS4410的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS4410的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS4410的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS4410的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS4410的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS4410的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS4410的Datasheet PDF文件第8页  
    1998年4月
    FDS4410
    单N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench
    TM
    MOSFET
    概述
    这N沟道逻辑电平MOSFET的设计
    具体而言，以提高直流/直流整体效率
    使用同步或传统转换器
    开关PWM控制器。
    MOSFET的功能切换速度和更低的栅极
    收费比其他的MOSFET具有可比性ř
    DS （ ON）
    特定连接的阳离子。
    其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
    （即使是在非常高的频率） ，和DC / DC电源
    设计具有更高的整体效率。
    特点
    10 A， 30 V ř
    DS （ ON）
    = 0.0135
    Ω
    @ V
    GS
    = 10 V
    R
    DS （ ON）
    = 0.0200
    Ω
    @ V
    GS
    = 4.5 V.
    在开关型DC / DC转换器的优化使用
    与PWM控制器。
    非常快速的切换。
    低栅极电荷（典型的22 NC） 。
    SOT-23
    SuperSOT
    TM
    -6
    SuperSOT
    TM
    -8
    SO-8
    SOT-223
    SOIC-16
    D
    D
    D
    D
    5
    4
    3
    2
    1
    S
    ˚F ð 10
    44
    S
    S
    S
    G
    6
    7
    8
    SO-8
    针
    1
    绝对最大额定值
    符号
    参数
    T
    A
    = 25
    o
    C除非其他明智的注意
    FDS4410
    单位
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    P
    D
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流 - 连续
    - 脉冲
    功率消耗单操作
    （注1A ）
    （注1B ）
    （注1C ）
    （注1A ）
    30
    ±20
    10
    50
    2.5
    1.2
    1
    -55到150
    V
    V
    A
    W
    T
    J
    ,T
    英镑
    R
    θ
    JA
    R
    θ
    JC
    工作和存储温度范围
    °C
    热特性
    热阻，结到环境
    热阻，结到外壳
    （注1A ）
    （注1 ）
    50
    25
    ° C / W
    ° C / W
    FDS4410 Rev.B1
    ©1998仙童半导体公司

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