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    FDS3672_12 参数 Datasheet PDF下载

    FDS3672_12图片预览
    型号： FDS3672_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOSFET PowerTrench® 100V ， 7.5A ， 22mÎ © [N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 7.5A, 22mΩ]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 317 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS3672_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS3672_12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS3672_12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS3672_12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS3672_12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS3672_12的Datasheet PDF文件第7页  
    FDS3672
    电气特性
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    参数
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    开关特性
    B
    VDSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门源漏电流
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 80V
    V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V
    T
    C
    =
    150
    o
    C
    100
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    250
    ±100
    V
    µA
    nA
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    门源阈值电压
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 250µA
    I
    D
    = 7.5A ，V
    GS
    = 10V
    r
    DS （ ON）
    漏极至源极导通电阻
    I
    D
    = 6.8A ，V
    GS
    = 6V
    I
    D
    = 7.5A ，V
    GS
    = 10V,
    T
    C
    = 150
    o
    C
    2
    -
    -
    -
    -
    0.019
    0.023
    0.035
    4
    0.023
    0.028
    0.043
    Ω
    V
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    Q
    G（ TOT ）
    Q
    G（ TH ）
    Q
    gs
    Q
    gs2
    Q
    gd
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    总栅极电荷，在10V
    阈值的栅极电荷
    门源栅极电荷
    栅极电荷阈值，以高原
    栅漏“米勒”充电
    V
    DS
    = 25V, V
    GS
    = 0V,
    F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0V至10V
    V
    GS
    = 0V至2V
    V
    DD
    = 50V
    I
    D
    = 7.5A
    I
    g
    = 1.0毫安
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2015
    285
    70
    28
    4
    10
    6.8
    6
    -
    -
    -
    37
    6
    -
    -
    -
    pF
    pF
    pF
    nC
    nC
    nC
    nC
    nC
    开关特性
    (V
    GS
    = 10V)
    t
    ON
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    t
    关闭
    开启时间
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    打开-O FF时间
    V
    DD
    = 50V ，我
    D
    = 4A
    V
    GS
    = 10V ，R
    GS
    = 10Ω
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    14
    20
    37
    27
    -
    51
    -
    -
    -
    -
    96
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    漏源二极管的特性
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    RR
    源极到漏极二极管电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    I
    SD
    = 7.5A
    I
    SD
    = 4A
    I
    SD
    = 7.5A ，二
    SD
    / DT = 100A / μs的
    I
    SD
    = 7.5A ，二
    SD
    / DT = 100A / μs的
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.25
    1.0
    55
    90
    V
    V
    ns
    nC
    注意事项：
    1:
    起始物为
    J
    = 25℃时，L = 13mH ，我
    AS
    = 8A.
    2:
    R
    θJA
    是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
    漏针。 ř
    θJC
    由设计而ř
    = CA
    是通过用户的电路板的设计来确定。
    3:
    R
    θJA
    度用1.0中
    2
    铜对FR -4板
    © 2012仙童半导体公司
    FDS3672牧师C2

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