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    FDN5618P 参数 Datasheet PDF下载

    FDN5618P图片预览
    型号： FDN5618P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 60V P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET [60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
    文件页数/大小： 8 页 / 384 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDN5618P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDN5618P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDN5618P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDN5618P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDN5618P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDN5618P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDN5618P的Datasheet PDF文件第8页  
    FDN5618P
    典型特征
    10
    I
    D
    = -1.25A
    8
    -40V
    6
    V
    DS
    = -20V
    -30V
    700
    600
    500
    400
    300
    200
    F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    C
    国际空间站
    4
    2
    100
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    2
    C
    OSS
    C
    RSS
    0
    4
    6
    8
    10
    12
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    100
    20
    图8.电容特性。
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    R
    DS （ ON）
    极限
    10ms
    100ms
    DC
    10s
    1s
    1ms
    15
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 270 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    1
    10
    0.1
    0.01
    V
    GS
    =-10V
    单脉冲
    R
    θJA
    = 270
    o
    C / W
    T
    A
    = 25
    o
    C
    5
    0.001
    0.1
    1
    10
    100
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    t
    1
    ，时间（秒）
    10
    100
    1000
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大
    功耗。
    1
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    R
    θ
    JA
    （吨） = R（T） + R
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    = 270 ° C / W
    P（ PK）
    t
    1
    t
    2
    单脉冲
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.01
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    JA
    (t)
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    1000
    0.001
    0.0001
    0.001
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1b中描述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    FDN5618P版本B （ W）

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