FDN352AP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDN352AP
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内容描述：	单P沟道的PowerTrench [Single P-Channel, PowerTrench]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 119 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDN352AP单P沟道的PowerTrench

MOSFET

2005年4月

FDN352AP

单P沟道的PowerTrench

MOSFET

特点

■

-1.3 A， -30V

-1.1 A， -30V

DS （ ON）

= 180 m

Ω

@ V

= –10V

DS （ ON）

= 300 m

Ω

@ V

= –4.5V

■

高性能沟道技术极低

DS （ ON）

■

高功率版本的行业标准SOT- 23封装。

相同的引脚输出，以SOT- 23高30％的功率处理

能力。

概述

这种P沟道逻辑电平MOSFET采用Fair-生产

孩子半导体先进电源海沟的过程，有

特别是针对已尽量减少通态电阻和

但保持出色的开关低栅极电荷perfor-

曼斯。

这些装置非常适用于低电压和电池pow-

ERED应用，需要在低线的功率损耗

非常小外形表面贴装封装。

应用

■

笔记本电脑电源管理

SuperSOT™-3

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

（注1A ）

参数

评级

–30

–1.3

–10

0.5

0.46

-55到+150

单位

C / W

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

250

包装标志和订购信息

器件标识

52AP

设备

FDN352AP

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

www.fairchildsemi.com

FDN352AP版本C

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