欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FDN336P 参数 Datasheet PDF下载

FDN336P图片预览
型号: FDN336P
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 73 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号FDN336P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDN336P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDN336P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDN336P的Datasheet PDF文件第5页  
典型电气特性
10
- I
D
,漏源电流(A )
2
-3.0V
6
R
DS ( ON)
归一化
8
V
GS
= -4.5V
-3.5V
漏源导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V
GS
= -2.5 V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
-2.5V
4
2
-2.0V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
,漏源电压(V )
0
2
4
6
8
10
- I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和门
1.6
漏源导通电阻
0.5
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= -1.3A
1.4
I
D
= -0.6A
0.4
V
GS
= -4.5V
R
DS ( ON)
归一化
1.2
0.3
1
0.2
TA = 125℃
0.1
0.8
25°C
0
0
2
4
6
8
10
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T,结温( ° C)
J
125
150
- V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
- I
S
,反向漏电流( A)
4
10
V
DS
= -5V
- I
D
,漏电流( A)
3
V
GS
= 0V
1
TJ = -55°C
25°C
125°C
TJ = 125°C
25°C
2
0.1
-55°C
1
0.01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
,门源电压( V)
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源
当前
和温度。
FDN336P Rev.D