欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FDG6301N 参数 Datasheet PDF下载

FDG6301N图片预览
型号: FDG6301N
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双N通道FET数字 [Dual N-Channel, Digital FET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 228 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号FDG6301N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDG6301N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDG6301N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDG6301N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDG6301N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDG6301N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDG6301N的Datasheet PDF文件第8页  
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 µA
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
I
D
= 250 μA ,参考25℃
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.22 A
T
J
=125°C
V
GS
= 2.7 V,I
D
= 0.19 A
o
25
25
1
10
100
V
毫伏/
o
C
µA
µA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
门 - 体泄漏电流
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
栅极阈值电压Temp.Coefficient
静态漏源导通电阻
0.65
0.85
-2.1
2.6
5.3
3.7
1.5
V
毫伏/
o
C
V
GS ( TH)
/
T
J
R
DS ( ON)
4
7
5
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
最大连续电流源
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.22 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
0.22
0.2
9.5
6
1.3
A
S
pF
pF
pF
10
10
8
7
0.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25
A
V
动态特性
开关特性
(注2 )
V
DD
= 5 V,I
D
= 0.5 A,
V
GS
= 4.5 V ,R
= 50
5
4.5
4
3.2
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.22 A,
V
GS
= 4.5 V
0.29
0.12
0.03
漏源二极管的特性和最大额定值
V
GS
= 0 V,I
S
= 0.25 A
(注2 )
0.8
1.2
注意事项:
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。 ř
θ
JC
保证
通过设计,同时ř
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。 ř
θ
JA
= 415
O
最低垫在静止空气中安装在FR- 4电路板C / W。
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
FDG6301N Rev.E
1