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    FDG6301N_09 参数 Datasheet PDF下载

    FDG6301N_09图片预览
    型号： FDG6301N_09
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N通道FET数字 [Dual N-Channel, Digital FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 351 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDG6301N_09的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDG6301N_09的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDG6301N_09的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDG6301N_09的Datasheet PDF文件第5页  
    FDG6301N_F085
    双
    N型沟道，
    数字FET
    典型电气特性
    0.5
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    0.4
    0.3
    0.2
    0.1
    0
    3.5V
    3.0V
    2.7V
    2.5V
    2.0V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    V
    GS
    =4.5V
    5
    4.5
    4
    3.5
    V
    GS
    = 2.5V
    2.7V
    3.0V
    3.5V
    3
    2.5
    2
    4.0V
    4.5V
    5.0V
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    0.1
    0.2
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    0.3
    0.4
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图1.区域特征
    .
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压
    .
    1.8
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    归一化
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    -50
    20
    V
    GS
    = 4.5V
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    I
    D
    = 0.22A
    I
    D
    = 0.10A
    16
    12
    8
    T
    A
    =125°C
    4
    25°C
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    -25
    0
    J
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T，结温（ ° C）
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化
    与温度。
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    25°C
    125°C
    I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    0.2
    0.4
    V
    DS
    = 5V
    T
    J
    = -55°C
    V
    GS
    = 0V
    0.1
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    0.15
    T
    J
    = 125°C
    0.01
    0.1
    25°C
    -55°C
    0.05
    0.001
    0
    0.5
    0.0001
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    五，门源电压（ V）
    GS
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度。
    FDG6301N_F085版本A
    3
    www.fairchildsemi.com

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