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FDD8896图片预览
型号: FDD8896
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内容描述: N沟道PowerTrench MOSFET的 [N-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
文件页数/大小: 11 页 / 130 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDD8896 / FDU8896
2004年9月
FDD8896 / FDU8896
N沟道的PowerTrench
®
MOSFET
30V , 94A , 5.7mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷,低
r
DS ( ON)
和快速的开关速度。
特点
• r
DS ( ON)
= 5.7mΩ ,V
GS
= 10 V,I
D
= 35A
• r
DS ( ON)
= 6.8mΩ ,V
GS
= 4.5V ,我
D
= 35A
•高性能沟道技术极低
r
DS ( ON)
•低栅极电荷
应用
• DC / DC转换
•高功率和电流处理能力
D
G
S
I- PAK
(TO-251AA)
摹ð S
G
D
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续(T
C
= 25
o
C,V
GS
= 10V )(注1 )
I
D
连续(T
C
=
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量(注2 )
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
o
参数
评级
30
±20
94
85
52
o
C / W )
17
图4
168
80
0.53
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
25
o
C,V
连续(T
AMB
=
GS
= 4.5V )(注
o
C,V
25
GS
= 10 V ,与
1)
R
θ
JA
=
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
热阻结到外壳TO- 252 , TO- 251
热阻结到环境TO- 252 , TO- 251
热阻结到环境TO- 252 ,
1in
2
铜层的面积
1.88
100
52
o
C / W
o
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8896
FDU8896
设备
FDD8896
FDU8896
TO-252AA
TO-251AA
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
©2004仙童半导体公司
FDD8896 / FDU8896版本C