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型号: FDD6670AS
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内容描述: 30V N沟道的PowerTrench SyncFET [30V N-Channel PowerTrench SyncFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 7 页 / 107 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDD6670AS
2005年5月
FDD6670AS
概述
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET
特点
76 A, 30 V
R
DS ( ON)
最大= 8.0毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
最大= 10.4毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷( 29nC典型值)
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
.
该FDD6670AS被设计来取代单一的
MOSFET和同步DC肖特基二极管: DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率,提供了一个低
和低栅极电荷。
该FDD6670AS
R
DS ( ON)
包括MOSFET的专利组合
与肖特基二极管单片集成。该
该FDD6670AS的性能,因为低侧开关
在同步整流器是从区分
该FDD6670A在用并行性能
肖特基二极管。
应用
DC / DC转换器
低端笔记本
D
D
G
S
TO-252
S
G
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
(注3)
(注1A )
(注1 )
(注1A )
(注1B )
单位
V
V
A
W
76
100
70
3.2
1.3
-55到+150
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
热阻,结到环境
(注1 )
(注1A )
(注1B )
1.8
40
96
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6670AS
FDD6670AS
设备
FDD6670AS
FDD6670AS_NL
(注4 )
带尺寸
13’’
13’’
胶带宽度
16mm
16mm
QUANTITY
2500台
2500台
FDD6670AS版本A ( X)
©2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION