FDD6670A_05 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDD6670A_05
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内容描述：	30V N沟道PowerTrench MOSFET的 [30V N-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 110 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDD6670A

电气特性

符号

= 25 ° C除非另有说明

参数

测试条件

民

典型值最大值单位

2.3

0.74

1.2

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

= 0 V，I

= 2.3 A

（注2 ）

= 15 A ，二

/ DT = 100 A / μs的

注意事项：

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。 ř

θJC

由设计而ř

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一）R

θJA

= 45 ℃/安装在当W

1in

2盎司纯铜垫

B ）R

θJA

= 96 ° C / W安装时

上的最小垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

DS （ ON）

最大电流的计算公式为：

其中，P

最大功耗在T

= 25℃和R

DS （ ON）

是在T

J（下最大）

和V

= 10V 。封装电流限制为21A

FDD6670A启E1 （W）的

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