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    FDD6612A 参数 Datasheet PDF下载

    FDD6612A图片预览
    型号： FDD6612A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ [N-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 6 页 / 123 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDD6612A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDD6612A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD6612A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD6612A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD6612A的Datasheet PDF文件第6页  
    FDD6612A/FDU6612A
    电气特性
    符号
    I
    S
    V
    SD
    TRR
    QRR
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    测试条件
    民
    典型值
    最大单位
    2.3
    A
    V
    nS
    nC
    漏源二极管的特性和最大额定值
    最大连续漏源二极管的正向电流
    漏源二极管正向
    电压
    二极管的反向恢复时间
    二极管的反向恢复电荷
    V
    GS
    = 0 V,
    IF = 9.5 A，
    I
    S
    = 2.3 A
    （注2 ）
    0.8
    20
    10
    1.2
    DIF / DT = 100 A / μs的
    注意事项：
    1.
    R
    θJA
    是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
    漏极引脚。 ř
    θJC
    由设计而ř
    = CA
    是通过用户的电路板的设计来确定。
    一）R
    θJA
    = 45 ℃/安装在当W
    1in
    2
    2盎司纯铜垫
    B ）R
    θJA
    = 96 ° C / W安装时
    上的最小垫。
    在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
    2.
    脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
    P
    D
    R
    DS （ ON）
    3.
    最大电流的计算公式为：
    其中，P
    D
    最大功耗在T
    C
    = 25℃和R
    DS （ ON）
    是在T
    J（下最大）
    和V
    GS
    = 10V 。封装电流限制为21A
    FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）

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