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型号: FDC653N
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 73 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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1997年11月
FDC653N
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这种N沟道增强型功率场效应
晶体管是采用飞兆半导体专有的,高细胞产生
密度, DMOS技术。这非常高密度的过程
针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于笔记本低电压应用
电脑,便携式电话, PCMICA卡等
电池供电电路中的快速切换,和低线
需要在一个非常小的轮廓表面的功率损耗贴装
封装。
特点
5 A, 30 V ř
DS ( ON)
= 0.035
@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 0.055
@ V
GS
= 4.5 V.
专有SuperSOT
TM
使用铜-6包装设计
引线框架为优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
S
D
D
1
6
3
65
.
G
1
2
5
D
D
SuperSOT
TM
3
-6
4
绝对最大额定值
符号参数
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25 ° C除非另有笔记
FDC653N
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
5
15
(注1A )
(注1B )
1.6
0.8
-55到150
W
T
J
,T
英镑
R
θJA
R
θJC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
30
° C / W
° C / W
©1997仙童半导体公司
FDC653N Rev.C