FDC634P
2001年9月
FDC634P
P沟道2.5V指定的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定用途MOSFET
飞兆半导体低电压的PowerTrench工艺。它有
经过优化的电池电源管理
应用程序。
特点
•
-3.5 A, -20 V. ř
DS ( ON)
= 80毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS ( ON)
= 110毫欧@ V
GS
= –2.5 V
•
低栅极电荷( 7.2 NC典型值)
•
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
应用
•
电池管理
•
负荷开关
•
电池保护
D
D
S
1
2
G
6
5
4
SuperSOT -6
TM
D
D
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–20
(注1A )
单位
V
V
A
W
°C
±8
–3.5
–20
1.6
0.8
-55到+150
(注1A )
(注1B )
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJ
C
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
30
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.634
设备
FDC634P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
©2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDC634P版本E( W)