FDC634P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDC634P
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内容描述：	P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	5 页 / 138 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDC634P

2001年9月

FDC634P

P沟道2.5V指定的PowerTrench

MOSFET

概述

这种P沟道2.5V指定用途MOSFET

飞兆半导体低电压的PowerTrench工艺。它有

经过优化的电池电源管理

应用程序。

特点

•

-3.5 A， -20 V. ř

DS （ ON）

= 80毫欧@ V

= –4.5 V

DS （ ON）

= 110毫欧@ V

= –2.5 V

•

低栅极电荷（ 7.2 NC典型值）

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

应用

•

电池管理

•

负荷开关

•

电池保护

SuperSOT -6

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

= 25°C除非另有说明

参数

评级

–20

（注1A ）

单位

°C

±8

–3.5

–20

1.6

0.8

-55到+150

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJ

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

.634

设备

FDC634P

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDC634P版本E（ W）

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