1998年11月
FDC6329L
集成负载开关
概述
这种装置特别适合于小型电源
管理在便携式电子设备，其中
2.5V至8V的输入和输出2.5A电流能力都
需要的。该负载开关集成了一个小的N沟道
功率MOSFET（Q1 ），它驱动一个大P沟道
功率MOSFET （ Q2 ）在一个很小的SuperSOT
TM
-6
封装。
特点
V
降
=0.2V @ V
IN
= 5V ，我
L
= 2.8A 。 ř
（上）
= 0.07
Ω
V
降
=0.2V
@ V
IN
= 2.5V ，我
L
= 1.9A 。 ř
（上）
= 0.105
Ω.
控制用MOSFET （ Q1），具有用于ESD保护的齐纳
耐用性
（ >6kV人体模型） 。
高性能沟道技术极低
导通电阻。
SuperSOT
TM
采用铜引线框架-6包装设计
优异的热和电性能。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
等效电路
V
IN
, R
1
4
Q2
3
V
OUT
, C
1
+
V
降
-
9
32
.
V
开/关
IN
OUT
5
Q1
2
V
OUT
, C
1
Ø N / O FF
R
1
, C
1
针
1
6
见应用电路
1
R
2
SuperSOT
TM
-6
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
FDC6329L
（注1 ）
单位
V
IN
V
开/关
I
L
输入电压范围
开/关电压范围
负载电流
- 连续
- 脉冲
2.5 - 8
1.5 - 8
2.5
10
V
V
A
（注2 ）
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
最大功率耗散
（注2 ）
0.7
-55到150
6
W
°C
kV
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D人体
模型（ 100pF的/ 1500Ohm ）
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注2 ）
（注2 ）
180
60
° C / W
° C / W
FDC6329L Rev.C
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
