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FDA50N50 参数 Datasheet PDF下载

FDA50N50图片预览
型号: FDA50N50
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内容描述: 500V N沟道MOSFET [500V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 223 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDH50N50 / FDA50N50 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
(续)
图13.典型的开关损耗与
栅极电阻
1,000
图14.非钳位感应开关
能力
100
注意事项:
1.如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
800
EOFF
600
I
AS
,雪崩电流[ A]
2.若R
0
t
AV
= ( L / R) 。在[(我
AS
X R) / ( 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)+1]
能源[
µ
J]
400
注意事项:
1. V
DS
= 400 V
2. V
GS
= 12 V
3. I
D
= 25A
4. T
J
= 125 C
!
o
10
起始物为
J
= 150 C
o
起始物为
J
= 25 C
o
200
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
1
0.01
0.1
1
10
100
R
G
,栅极电阻[
]
t
AV
,时间在雪崩[毫秒]
图15.瞬态热阻曲线
10
-1
D=0.5
0.2
0.1
0.05
注意事项:
o
1. Z
θ
JC
( T) = 0.2 ℃/ W(最大值) 。
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
Z
θ
JC
(T ) ,热响应
10
-2
0.02
0.01
单脉冲
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
,广场W¯¯ AVE脉冲持续时间[秒]
5
FDH50N50 / FDA50N50版本A
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