FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDA20N50
FDA20N50
设备
FDA20N50
FDA20N50_F109
包
TO-3P
TO-3PN
T
C
= 25 ° C除非另有说明
带尺寸
--
--
胶带宽度
--
--
QUANTITY
30
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 25°C
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A
V
DS
= 40V ，我
D
= 11A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
民
500
--
--
--
--
--
3.0
--
--
--
--
--
典型值
--
0.50
--
--
--
--
--
0.20
24.6
2400
355
27
95
375
100
105
45.6
14.8
21.6
最大单位
--
--
1
10
100
-100
5.0
0.23
--
3120
465
--
200
760
210
220
59.5
--
--
V
V /°C的
μA
μA
nA
nA
V
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
基本特征
动态特性
开关特性
V
DD
= 250V ，我
D
= 20A
R
G
= 25Ω
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
（注4,5）
V
DS
= 400V ，我
D
= 20A
V
GS
= 10V
--
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 22A
V
GS
= 0V时，我
S
= 20A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
507
7.20
20
80
1.4
--
--
A
A
V
ns
μC
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 4.1mH ，我
AS
= 22A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图22A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FDA20N50 / FDA20N50_F109 Rev.C0
2
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